友情链接:
中国科学院
English
简体中文
中科瑞晶(杭州)科技有限公司
首页
产品
功能晶体
激光晶体
Ti:Al2O3
Yb:YAG
Nd:YAG
Er:YAG
Ho:YAG
RE:LiYF4
RE:LiLuF4
非线性晶体
LiNbO3
LiTaO3
KTP
光电晶体
LiNbO3
LiTaO3
BaTiO3
SiO2
TeO2
PMN-PT
TiO2
半导体晶体
Si
Ge
SiC
ZnO
GaAs
光学窗口晶体
Al2O3
LiF
MgF2
CaF2
BaF2
YAG
Ge
闪烁晶体
BGO
Ce:YAG
Ce:YAP
CdWO4
晶体衬底基片
半导体薄膜基片
Ga2O3
GaN
SiC (6H-SiC,4H-SiC )
CdZnTe
ZnO
Al2O3
MgO
MgAl6O10
LiAlO2
Ge
Si
GaAs
InP
InAs
GaSb
MgAl2O4
磁性及铁电基片
MgO
SrTiO3
Fe:SrTiO3
Nd:SrTiO3
(La,Sr)(Al,Ta)O3
LaAlO3
TGG
TiO2
高温超导薄膜基片
MgO
LaAlO3
LaSrAlO4
(La,Sr)(Al,Ta)O3
KTaO3
MgAl2O4
SrTiO3
YSZ
NdGaO3
YAlO3
卤化物衬底基片
NaCl
KCl
KBr
溅射靶材
金属靶材
合金靶材
陶瓷靶材
单晶靶材
粉末和溅射源
金属氧化物
硫化物
氟化物
氮化物
金属
金属单晶
Al
Cu
外延薄膜
Pt/Ti/SiO2/Si
Au/Cr/Si
SiO2/Si
玻璃/陶瓷衬底
ITO 玻璃
FTO 玻璃
AZO玻璃
Al2O3陶瓷
AlN陶瓷
YSZ陶瓷
Si3N4 陶瓷
材料加工服务,晶体生长及加热设备
透镜、棱镜特殊冷加工
线切割加工
晶体生长炉
真空热压烧结炉
真空碳管炉
真空脱脂烧结炉
真空氢气炉
真空钼丝热压炉
真空热处理炉
真空钼丝炉
真空钎焊炉
真空退火炉
真空时效炉
真空钨丝炉
真空感应熔炼炉
真空石墨化炉
石墨提纯炉
服务
材料加工
设备服务
材料学数据库
应用
合作伙伴
媒体
文档中心
新闻
联系我们
联系方式
询问联系人
询问报价
常见问题
关于我们
首页
产品
功能晶体
激光晶体
Ti:Al2O3
Yb:YAG
Nd:YAG
Er:YAG
Ho:YAG
RE:LiYF4
RE:LiLuF4
非线性晶体
LiNbO3
LiTaO3
KTP
光电晶体
LiNbO3
LiTaO3
BaTiO3
SiO2
TeO2
PMN-PT
TiO2
半导体晶体
Si
Ge
SiC
ZnO
GaAs
光学窗口晶体
Al2O3
LiF
MgF2
CaF2
BaF2
YAG
Ge
闪烁晶体
BGO
Ce:YAG
Ce:YAP
CdWO4
晶体衬底基片
半导体薄膜基片
Ga2O3
GaN
SiC (6H-SiC,4H-SiC )
CdZnTe
ZnO
Al2O3
MgO
MgAl6O10
LiAlO2
Ge
Si
GaAs
InP
InAs
GaSb
MgAl2O4
磁性及铁电基片
MgO
SrTiO3
Fe:SrTiO3
Nd:SrTiO3
(La,Sr)(Al,Ta)O3
LaAlO3
TGG
TiO2
高温超导薄膜基片
MgO
LaAlO3
LaSrAlO4
(La,Sr)(Al,Ta)O3
KTaO3
MgAl2O4
SrTiO3
YSZ
NdGaO3
YAlO3
卤化物衬底基片
NaCl
KCl
KBr
溅射靶材
金属靶材
合金靶材
陶瓷靶材
单晶靶材
粉末和溅射源
金属氧化物
硫化物
氟化物
氮化物
金属
金属单晶
Al
Cu
外延薄膜
Pt/Ti/SiO2/Si
Au/Cr/Si
SiO2/Si
玻璃/陶瓷衬底
ITO 玻璃
FTO 玻璃
AZO玻璃
Al2O3陶瓷
AlN陶瓷
YSZ陶瓷
Si3N4 陶瓷
材料加工服务,晶体生长及加热设备
透镜、棱镜特殊冷加工
线切割加工
晶体生长炉
真空热压烧结炉
真空碳管炉
真空脱脂烧结炉
真空氢气炉
真空钼丝热压炉
真空热处理炉
真空钼丝炉
真空钎焊炉
真空退火炉
真空时效炉
真空钨丝炉
真空感应熔炼炉
真空石墨化炉
石墨提纯炉
服务
材料加工
设备服务
材料学数据库
应用
合作伙伴
媒体
文档中心
新闻
联系我们
联系方式
询问联系人
询问报价
常见问题
关于我们
Go to English site
首页
产品
晶体衬底基片
半导体薄膜基片
分类
功能晶体
激光晶体
Ti:Al2O3
Yb:YAG
Nd:YAG
Er:YAG
Ho:YAG
RE:LiYF4
RE:LiLuF4
非线性晶体
LiNbO3
LiTaO3
KTP
光电晶体
LiNbO3
LiTaO3
BaTiO3
SiO2
TeO2
PMN-PT
TiO2
半导体晶体
Si
Ge
SiC
ZnO
GaAs
光学窗口晶体
Al2O3
LiF
MgF2
CaF2
BaF2
YAG
Ge
闪烁晶体
BGO
Ce:YAG
Ce:YAP
CdWO4
晶体衬底基片
半导体薄膜基片
Ga2O3
GaN
SiC (6H-SiC,4H-SiC )
CdZnTe
ZnO
Al2O3
MgO
MgAl6O10
LiAlO2
Ge
Si
GaAs
InP
InAs
GaSb
MgAl2O4
磁性及铁电基片
MgO
SrTiO3
Fe:SrTiO3
Nd:SrTiO3
(La,Sr)(Al,Ta)O3
LaAlO3
TGG
TiO2
高温超导薄膜基片
MgO
LaAlO3
LaSrAlO4
(La,Sr)(Al,Ta)O3
KTaO3
MgAl2O4
SrTiO3
YSZ
NdGaO3
YAlO3
卤化物衬底基片
NaCl
KCl
KBr
溅射靶材
金属靶材
合金靶材
陶瓷靶材
单晶靶材
粉末和溅射源
金属氧化物
硫化物
氟化物
氮化物
金属
金属单晶
Al
Cu
外延薄膜
Pt/Ti/SiO2/Si
Au/Cr/Si
SiO2/Si
玻璃/陶瓷衬底
ITO 玻璃
FTO 玻璃
AZO玻璃
Al2O3陶瓷
AlN陶瓷
YSZ陶瓷
Si3N4 陶瓷
材料加工服务,晶体生长及加热设备
透镜、棱镜特殊冷加工
线切割加工
晶体生长炉
真空热压烧结炉
真空碳管炉
真空脱脂烧结炉
真空氢气炉
真空钼丝热压炉
真空热处理炉
真空钼丝炉
真空钎焊炉
真空退火炉
真空时效炉
真空钨丝炉
真空感应熔炼炉
真空石墨化炉
石墨提纯炉
半导体薄膜基片
半导体薄膜采用各种衬底,CCT可根据客户要求提供锗、硅、砷化镓、铟、镓、铟等。
Ga2O3
GaN
SiC (6H-SiC,4H-SiC )
CdZnTe
ZnO
Al2O3
MgO
MgAl6O10
LiAlO2
Ge
Si
GaAs
InP
InAs
GaSb
MgAl2O4
询问联系人
询问报价