Ga2O3
近十年来，β-氧化镓（β-Ga2O3）材料和器件技术取得了快速发展，其禁带宽度EG=4.9eV，远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)，其导电性能和发光特性良好，具有很强的电子学、光学和热学性能。它具有高折射率、可调谐的拉曼散射响应、低的漏电流和以非常稳定的外延特性。它还具有出色的小波纹动态动态特性和高的发射效率。此外，它还具有很高的压集能和硒的抗氧化能。
氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有：激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外，它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。
在未来，氧化镓(Ga2O3)将作为一种高性能、高可靠性的半导体材料可能会取代硅(Si)和其他半导体材料，以实现低功耗电子电路的设计。它将有助于小型化电子器件，以满足人们日益增长的对小型电子产品和消费电子产品的需求。在未来，随着传感器、滤波器、电路设计和可视图像成像技术的发展，氧化镓(Ga2O3)也将大量应用于这些领域。因此，氧化镓(Ga2O3)有望在未来发挥重要作用，并带来巨大的发展机遇。
中科瑞晶（CasCrysTech, CCT）根据用户需求，为用户提供2英寸以内的氧化镓（Ga2O3）单晶衬底基片及外延基片。
2022年8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。该禁令对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧（PGC）在内的四项技术实施了新的出口管制。
使用/应用
氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有：激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外，它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。
特点/优势
是一种直接宽带隙半导体材料，具有极大的击穿电场，易于获得大尺寸晶体。
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结构
单斜
晶格常数
a=12.23Å, b=3.04Å, c=5.80Å, ß=103.7°
晶向
<100> +/-1°, <010> +/-1°
莫氏硬度
9 (mohs)
密度
5.88 (g/cm3)
熔点
1725℃
尺寸 3-220mm, 按需求订制。
厚度
按需求订制
生长方法
Czochralski, HEM
导电类型
半绝缘, xx-掺杂
抛光
外延抛光, RMS<0.5nm, 或
光学级抛光
平行度
15 arcsec
位错密度 20/10 scratch/dig
包装 100级洁净袋,单盒装，氮气保护下包装。 -
按需求订制。