Ge
锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素(如铟、镓、硼)以获得P型锗半导体,五价元素(如锑、砷和磷)掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。
中科瑞晶根据客户需求,提供不同规格的锗(Ge)半导体基片。
使用/应用
高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。
特点/优势
锗掺杂三价元素得到P型锗半导体,掺杂五价元素得到N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。
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晶体结构
立方
晶格常数
a=5.65754Å
密度
5.323(g/cm3)
硬度
4(mohs)
熔点
937.4℃
生长方法
提拉法
掺杂物质
不掺杂
掺Sb
掺In或Ga
类型
/
N
P
电阻率Ωcm
>35
0.05
0.05-0.1
EPD
<4×103/cm2
<4×103/cm2
<4×103/cm2
晶向
<111>、<100>、<110>±0.5º
尺寸(mm)
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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尺寸
10x3mm,10x5mm,10x10mm,15x15mm,20x15mm,20x20mm,
Ø50.8 mm, Ø76.2mm, Ø100 mm
厚度
0.5mm,1.0mm