InP
作为最重要的化合物半导体材料之一，InP单晶材料是光通信中InP基激光二极管（LD）、发光二极管（led）和光电探测器的关键材料。这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。InP还非常适合于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。由于其优越的特性，它被应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域、射频电路、微波、毫米波、辐射太阳能电池和异质结晶体管等许多高科技领域。
InP单晶材料的主要生长方法有传统的液封直拉法（LEC）、改进的LEC法和气压控制直拉法（VCZ）/PC-LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的磷化铟（InP）晶体材料。
使用/应用
光通信用InP基激光二极管（LD）、发光二极管（LED）和光电探测器生产的关键材料。
适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。
应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域，以及射频电路等。
可以在大功率高温度下工作，且性能稳定。
特点/优势
磷化铟（InP）包括磷和铟，是一种二元半导体。它具有类似于GaAs和几乎所有III-V半导体的锌铅晶体结构。
-
晶体
结构
晶向
熔点
oC
密度
g/cm3
禁带宽度
InP
立方,
a=5.869 A
<100>
1600
4.79
1.344
主要性能参数
单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
InP
本征
N
(0.4-2)´1016
(3.5-4)´103
£5´104
Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)´1018
(4-6)´1018
(2.0-2.4)´103
(1.3-1.6)´103
£ 3´104
£2´103
Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2) ´1018
70-90
£ 2´104
Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm
InP
Te
N
107-108
³2000
£3´104
Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm
尺寸（mm）
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋，1000级超净室
-
尺寸
Φ 50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm
根据需求定制。