GaSb
GaSb单晶由于其晶格常数与各种三元和四元、III-V化合物固溶体的晶格常数相匹配，可以用作基底材料，其带隙在0.8~4.3um宽的光谱范围内。GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格，在微波器件制造中具有潜在的应用前景。生长方法包括LEC、VGF和VBG。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的锑化镓（GaSb）衬底材料。
使用/应用
用作衬底材料。
微波器件的制造。
特点/优势
晶格常数与各种三元和四元III-V化合物的晶格常数匹配，带隙在0.8~4.3um宽光谱范围内。
GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格。
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单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
GaSb
本征
P
(1-2)´1017
600-700
£1´104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Zn
P
(5-100) ´1017
200-500
£1´104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Te
N
(1-20)´1017
2000-3500
£1´104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
尺寸（mm）
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋，1000级超净室
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尺寸
∅50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm
方向和尺寸可定制。