MgAl2O4
铝酸镁（MgAl2O4）可作为III-V氮化物器件薄膜的衬底，也广泛应用于声波和微波器件以及快速IC外延衬底。此外，它与外延硅薄膜具有良好的晶格匹配。外延硅薄层中铝原子的自掺杂量小，热稳定性好，硅的膨胀系数比较接近，硬度小，加工性能较好等。，因此，它可以作为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬里底层材料之一。目前，我们可以提供最大直径为2英寸（半高宽<50弧秒，粗糙度Ra<0.5纳米）的无孪晶、无晶域和超光滑优质基板。
使用/应用
铝酸镁（MgAl2O4）可作为III-V氮化物器件薄膜的衬底，也广泛应用于声波和微波器件以及快速IC外延衬底。
它可以作为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬里底材之一。
特点/优势
铝酸镁（MgAl2O4）与外延硅薄膜具有良好的晶格匹配。
外延硅薄层中铝原子的自掺杂量小，热稳定性好，硅的膨胀系数比较接近，硬度小，加工性能较好等。
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生长方法
提拉法
晶体结构
立方
晶格常数
a=8.085Å
熔点（℃）
2130℃
密度
3.64g/cm3
莫氏硬度
8
颜色
白色透明
热膨胀系数
7.45×10-6 /℃
晶向
<100>,
尺寸
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
Ф1″，Ф2″,
厚度
0.5mm，1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100>、<110>、<111>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:
≤5Å（5µm×5µm）
包装
100级洁净袋，1000级超净室
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尺寸
10x3mm，10x5mm，10x10mm，15x15mm，20x15mm，20x20mm
Ф1″，Ф2″
厚度
0.5mm，1.0mm