Ge
锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素（如铟、镓、硼）以获得P型锗半导体，五价元素（如锑、砷和磷）掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。
高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。
使用/应用
高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。
特点/优势
锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素（如铟、镓、硼）以获得P型锗半导体，五价元素（如锑、砷和磷）掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。
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生长方法
提拉法
晶体结构
立方
晶格常数
a=5.65754 Å
密 度
5.323g/cm3
熔点
937.4℃
掺杂物质
不掺杂
掺Sb
掺Ga
类型
/
N
P
电阻率
＞35Ωcm
0.01~35 Ωcm
0.05~35 Ωcm
EPD
＜4×103∕cm2
＜4×103∕cm2
＜4×103∕cm2
尺寸
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
Dia50.8 mm ,dia76.2mm, Dia100 mm
厚度
0.5mm，1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra
≤5Å（5µm×5µm）
包装
100级洁净袋，1000级超净室
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尺寸
5x5mm，10x10mm，20x20mm，30x30mm , Ø50.8 mm
厚度
0.5mm，1.0mm