SiC
N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域,并能起到减小体积简化系统、提高功率密度的作用。
使用/应用
N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。
可应用于高频电子器件、电动汽车功率控制单元(PCU)、光伏逆变器、轨道交通功率控制系统等领域,并能起到减小系统体积简化、提高功率密度的作用。
特点/优势
具有耐高压、耐高频等突出的物理特性。
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生长方法
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.08 Å c=15.08 Å
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或 偏<0001>3.5 º
带隙
2.93 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
热传导@300K
5 W/ cm.k
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm等
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室
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尺寸
5x5mm,10x10mm,15x15mm,20x20mm; Ø50.8, Ø100 mm, Ø150mm
厚度
0.33/0.35/0.5mm,
根据客户要求定制晶向和尺寸。