SiO2
人造石英单晶在高压釜中通过水热法生长,有左手和右手两种形式。石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性,透光范围为0.15-4μm。石英晶体因其压电性能、低热膨胀系数、优异的机械和光学性能,被用于电子、精密光学和激光技术,光通信,X射线光学
使用/应用
电子、精密光学和激光技术、光通信、X射线光学。
特点/优势
石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性,透光范围为0.15-4μm。
石英晶体具有良好的压电性能、较低的热膨胀系数、优异的力学和光学性能。
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生长方法
水热法
晶体结构
六方
晶格常数
a=4.914Å c=5.405 Å
熔点(℃)
1610℃(相转变点:573.1℃)
密度
2.684g/cm3
硬度
7(mohs)
热熔
0.18cal/gm
热导率
0.0033cal/cm℃
热电常数
1200uv/℃(300℃)
折射率
1.544
热膨胀系数
α11:13.71×10-6 / ℃ α33:7.48×10-6 /℃
Q值
1.8×106 min
声速、声表级
3160(m/sec)
频率常数
1661(kHz/mm)
压电偶合
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向
Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
主定位边:根据客户要求定方向±30分
次定位边:根据客户要求定方向
籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm抛光面
外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
工作区域:基片直径-3mm
弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
坑和划痕:每片<3,每100片<20标准厚度
0.5mm±0.05mm TTV<5um
标准直径
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边:10mm±1.5mm -
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定向平面:
16±1.5mm (Φ2″);22±1.5mm (Φ3″) ;32±3.0(Φ4″)