ZnO
氧化锌（ZnO）是GaN薄膜的良好衬底。它在室温下具有60 meV的大激子结合能和3.73 eV的带宽，使其成为紫外光和可见光的发光材料。由于其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器、大尺寸和高质量的GaN衬底、，未来超过5GHz的无线通信、高电场设备、高温高能电子设备等。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的氧化锌（ZnO）薄膜基片。
使用/应用
用于紫外线和可见光的发光材料。
高电场设备。
高温高能电子器件。
高效半导体光电子器件、半导体光催化和稀磁半导体。
特点/优势
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结构
六方
晶格常数
a=3.252Å c=5.313 Å
密度
5.7（g/cm3）
生长方法
Hydrothermal
莫氏硬度 (Mho)
4（mohs）
熔点
1975℃
热膨胀系数
6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
比热
0.125 cal /g.m
热电常数
1200 mv/k @ 300 ℃
热导率
0.006 cal/cm/k
透过范围
0.4-0.6 um > 50% at 2mm
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尺寸
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可根据客户需求尺寸和晶向需求定制。