SiC (6H-SiC,4H-SiC )

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域，并能起到减小体积简化系统、提高功率密度的作用。

中科瑞晶根据用户需要提供不同规格碳化硅（SiC）晶体基片。

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。
大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域。
起到减小体积简化系统和提高功率密度的作用。

具有耐高压、耐高频等突出的物理特性。

生长方法	籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）
晶体结构	六方
晶格常数	a=3.08 Å c=15.08 Å
排列次序	ABCACB
方向	生长轴或偏<0001>3.5 º
带隙	2.93 eV (间接)
硬度	9.2（mohs）
热传导@300K	5 W/ cm.k
介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm等
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）

包装	100级洁净袋，1000级超净室